一种Ag修饰多孔结构Cu3P/泡沫铜复合电极 及其制备方法
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联系人：杨辉
地 址：新疆维吾尔自治区乌鲁木齐市新市区河南东路739号自治区中小企业服务中心1号楼
成果介绍
(1)授权公告号CN 108823598 B
(2)授权公告日2020.06.02
(3)申请号 201810568769 .1
201810568769.1.pdf
附图
(2)授权公告日2020.06.02
(3)申请号 201810568769 .1
(4)申请日 2018 .06 .05
(5)同一申请的已公布的文献号
(6)申请公布号 CN 108823598 A
(6)申请公布号 CN 108823598 A
(7)申请公布日 2018 .11 .16
(8)专利权人 青岛科技大学
(9)地址 266000 山东省青岛市市北区郑州路53号
(10)发明人 宋彩霞 王德宝 赵泽宇 吕淑华 韩朝辉
(11)专利代理机构 青岛中天汇智知识产权代理有限公司 37241
(11)专利代理机构 青岛中天汇智知识产权代理有限公司 37241
(12)代理人 郝团代
(13)审查员 雷学军
(14)发明名称 一种Ag修饰多孔结构Cu3P/泡沫铜复合电极 及其制备方法
(15)摘要
本发明公开了一种Ag修饰多孔结构Cu3P/泡 沫铜复合电极及其制备方法，其特征在于，所述 Ag修饰多孔Cu3P/泡沫铜复合电极是一种以泡沫 铜为基底原位生长的单分散金属Ag修饰的多孔 结构Cu3P所组成的高效电催化电极；所述制备方 法是泡沫铜既作为电极基底材料又作为反应物， 采用室温液相氧化，再磷化得到在泡沫铜上原位 生长的单分散Ag修饰的多孔结构Cu3P电极复合 电极。所述方法制备方法简单，反应条件温和。所 制备的Ag修饰多孔结构Cu3P/泡沫铜复合电极， 对于电催化分解水制氢和电催化降解水中有机 污染物都具有较高的电催化效率和电催化稳定 性。
pdf全文： 201810568769.1.pdf附图
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