一种单晶体气相生长用保护气体补充装置
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地 址：新疆维吾尔自治区乌鲁木齐市新市区河南东路739号自治区中小企业服务中心1号楼
成果介绍
(1)授权公告号CN 111594754
(2)授权公告日2020.10.09
(3)申请号 202010707257 .6
202010707257.6.pdf
附图：
(2)授权公告日2020.10.09
(3)申请号 202010707257 .6
(4)申请日 2020 .07 .22
(5)同一申请的已公布的文献号 申请公布号 CN 111594754 A
(6)申请公布日 2020 .08 .28
(7)专利权人 烟台青孜新材料科技有限公司
(8)地址 264000 山东省烟台市高新区经八路17号内4号
(9)发明人 孙寒羽
(10)发明名称 一种单晶体气相生长用保护气体补充装置
(11)摘要
本发明提供一种单晶体气相生长用保护气体补充装置，涉及单晶体气相生长领域。该单晶体气相生长用保护气体补充装置，包括缓冲室， 所述缓冲室的前端连接并贯通有导流管，缓冲室的后面固定安装有密封板，密封板的内部转动连接有连接机构，密封板的中部固定安装有支撑机构，支撑机构的底端内侧固定安装有报警机构，支撑机构的上方两端放置有气瓶。该单晶体气相生长用保护气体补充装置，通过设置质量相等的气瓶能够在其中一个气瓶供气后打破重力的平衡，从而能够实现旋转，进而在顶端能够通过触碰块与顶块接触关闭气瓶的同时，另一端的气瓶在底端通过触碰块与顶块接触打开气瓶，从而实现不间断的供气，解决现有技术中切换气瓶时暂时缺气的问题。
PDF全文： 202010707257.6.pdf附图：
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