一种掩膜法静电纺一体化铜导电膜层及其制备方法
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联系人：杨辉
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成果介绍
(10)授权公告号
PDF全文：
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(45)授权公告日
(21)申请号 202011125428 .0
(22)申请日 2020 .10 .20
(65)同一申请的已公布的文献号
申请公布号 CN 112281302 A
(43)申请公布日 2021 .01 .29
(73)专利权人 西安工程大学
地址 710048 陕西省西安市碑林区金花南
路19号
(72)发明人 屈银虎 王钰凡 高浩斐 张红
何炫 张学硕
(74)专利代理机构 西安弘理专利事务所 61214
专利代理师 罗笛
(51)Int .Cl .
D04H 1/4382(2012 .01)
D04H 1/728(2012 .01)
D06C 7/04 (2006 .01)
D01F 8/18(2006 .01)
(56)对比文件
CN 103235676 A ,2013 .08 .07
CN 105696110 A ,2016 .06 .22
CN 105063804 A ,2015 .11 .18
US 9966168 B1 ,2018 .05 .08
CN 110875108 A ,2020 .03 .10
CN 103848415 A ,2014 .06 .11
CN 105366633 A ,2016 .03 .02
CN 102978721 A ,2013 .03 .20
CN 110747581 A ,2020 .02 .04
审查员 朱凡凡
(54)发明名称
一种掩膜法静电纺一体化铜导电膜层及其
制备方法
(57)摘要
本发明公开了一种掩膜法静电纺一体化铜
导电膜层，包括在陶瓷基板上覆盖有印刷电路的
掩膜，该印刷电路的掩膜刻有电路形状网络，该
印刷电路的掩膜上覆盖有一层纺丝前驱体。本发
明还公开了该种掩膜法静电纺一体化铜导电膜
层的制备方法，步骤包括：1)配制金属离子溶液；
2)制备纺丝前驱体溶液；3)进行静电纺丝处理；
4)真空干燥；5)利用管式炉在氮气气氛下对一体
化铜导电膜层进行高温处理，即得掩膜法静电纺
一体化铜导电膜层。本发明的制备方法简单易
行，本发明的产品具有优良的导电性能。
权利要求书1页 说明书7页 附图1页
CN 112281302 B
2022.09.09
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