一种蓝光CdSe纳米片的晶型调控方法
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成果介绍
(12)发明专利
201910185221.3.pdf
(10)授权公告号
(45)授权公告日
(21)申请号 201910185221 .3
(22)申请日 2019 .03 .12
(65)同一申请的已公布的文献号
申请公布号 CN 109896507 A
(43)申请公布日 2019 .06 .18
(73)专利权人 湖北大学
地址 430062 湖北省武汉市武昌区友谊大
道368号
(72)发明人 曹万强 张阮 张超键 梅明
郑康
(74)专利代理机构 武汉河山金堂专利事务所
(普通合伙) 42212
代理人 丁齐旭
审查员 陈维龙
(54)发明名称
一种蓝光CdSe纳米片的晶型调控方法
(57)摘要
本发明公开了一种蓝光CdSe纳米片的晶型
调控方法。它是在传统蓝光CdSe纳米片合成的基
础上降低反应温度、延长反应时间。其中CdSe纳
米片是通过将醋酸镉二水合物、硒粉、油酸加入
到十八烯(ODE)在惰性气体氛围下脱气制得。本
发明的优点是：通过精确地调控反应的温度和反
应的时间，可以将合成的纳米片从面心立方闪锌
矿结构向六方纤锌矿结构之间互相转换，从而更
好地调控纳米片的晶体结构、发射峰和尺寸大
小。此外，已有的纤锌矿合成技术中硒源是Se‑
ODE，而本发明将硒源由Se‑ODE改成Se粉，Se‑ODE
合成时间约为 6 h，改成 Se粉后反应时间只有
3min‑1h，同时未反应完的Se粉可以直接沉淀，使
得离心提纯更加容易。
权利要求书1页 说明书3页 附图3页
CN 109896507 B
2022.04.19
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