
一种工作在顺电相高储能反铁电复合陶瓷材料及其制备方法
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成果介绍
(12)发明专利
(10)授权公告号
(45)授权公告日
(21)申请号 201910814186 .7
(22)申请日 2019 .08 .30
(65)同一申请的已公布的文献号
申请公布号 CN 111233464 A
(43)申请公布日 2020 .06 .05
(73)专利权人 湖北大学
地址 430076 湖北省武汉市武昌区友谊大
道368号
(72)发明人 曹万强
(74)专利代理机构 武汉河山金堂专利事务所
(普通合伙) 42212
代理人 丁齐旭
审查员 熊雯
(54)发明名称
一种工作在顺电相高储能反铁电复合陶瓷
材料及其制备方法
(57)摘要
本发明公开了一种工作在顺电相高储能反
铁电复合陶瓷材料及其制备方法,其成分:由反
铁电介质A0 .88[ (Pb0 .9 4 La0 .0 4) (Sn0 .4 Zr0 .6)
0 .8Ti0 .2O3 ],线性介质B(0 .08~0 .10)[SrTiO3 /
CaTiO3 ]和绝缘介质C(0 .02~0 .04)[MgO/WO3 ]三
部分组成。分别用固溶法制备A、B、C粉体,再按配
比混合制备本发明材料,经压片、烧结、磨平、涂
覆银浆后,形成本发明的复合高储能反铁电陶瓷
材料。本发明的材料居里温度在摄氏‑10~‑30
℃,顺电相工作温度10~50℃,电场强度可达
180kV/cm,储能密度为4 .4~5 .4J/cm3,储能效率
大于90%。可实现室温环境下高储能的应用。本
发明制备工艺简单、性能稳定、温度稳定性好,能
量利用率高,适合工业推广。
权利要求书1页 说明书4页 附图1页
CN 111233464 B
2022.04.05
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