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一种小尺寸边缘修饰石墨烯与硅复合电极 材料制备方法

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 (10)授权公告号 (45)授权公告日 (21)申请号 201810412014 .2 (22)申请日 2018 .04 .24 (65)同一申请的已公布的文献号 申请公布号 CN 108428883 A (43)申请公布日 2018 .08 .21 (73)专利权人 盐城师范学院 地址 224000 江苏省盐城市希望大道南路2 号盐城师范学院新长校区新能源学院 (72)发明人 苗中正 陈霁 (51)Int .Cl . H01M 4/36 (2006 .01) H01M 4/38(2006 .01) H01M 4/62(2006 .01) H01M 10/0525(2010 .01) 审查员 王蕾 (54)发明名称 一种小尺寸边缘修饰石墨烯与硅复合电极 材料制备方法 (57)摘要 本发明提供一种小尺寸边缘修饰石墨烯与 硅复合电极材料制备方法。通过小片层石墨插层 化合物层间反应产生气体,剥离石墨片层得到小 尺寸石墨烯材料;小尺寸石墨烯在浓硫酸和浓硝 酸混酸体系中处理4h后,再用质量分数为30%过 氧化氢水溶液处理2h,得到小尺寸边缘修饰石墨 烯材料;将边缘修饰石墨烯材料与纳米硅颗粒超 声混合均匀后,采用真空抽滤法制备独立自支撑 薄膜,采用热化学法去除边缘的羧基后得到复合 电极材料。本发明中的小尺寸边缘修饰石墨烯材 料具有较高的电子电导与离子电导,可改善硅基 材料的倍率性能,抑制硅在循环过程中的体积效 应,具备良好的分散性,与硅颗粒混合均匀,阻隔 硅与电解液直接接触,降低不可逆容量。 权利要求书1页 说明书4页 附图1页 CN 108428883 B 2021.06.04
   201810412014.2.pdf
微信图片_20231210170523

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