(10)授权公告号CN 110665551 B 
(45)授权公告日2021.10.01
(21)申请号 201910834674 .4
(22)申请日 2019 .09 .05
(65)同一申请的已公布的文献号
申请公布号 CN 110665551 A
(43)申请公布日 2020 .01 .10
(73)专利权人 嘉兴博创智能传感科技有限公司
地址 314000 浙江省嘉兴市秀洲区高照街
道京润大厦2405室
(72)发明人 张红宾
(51)Int .Cl .
B01L 3/00(2006 .01)
C12M 1/34 (2006 .01)
C12M 1/00(2006 .01)
H01L 21/027 (2006 .01)
(56)对比文件
CN 107686234 A ,2018 .02 .13
CN 101234848 A ,2008 .08 .06
CN 202430118 U ,2012 .09 .12
CN 108423981 A ,2018 .08 .21
CN 106458691 A ,2017 .02 .22
WO 2017208788 A1 ,2017 .12 .07
KR 20120065932 A ,2012 .06 .21
审查员 刘有鹏
(54)发明名称
一种基于紫外激光掩模刻蚀的微流控芯片
结构
(57)摘要
本发明提供一种基于紫外激光掩模刻蚀的
微流控芯片结构，包括上层片基和下层片基；微
流控芯片经由上层片基和下层片基共同组成。当
研究人员通过使用本申请文件所设计的微流控
芯片完成核酸检测后，研究人员可将两组夹紧式
断裂装置放置于本申请文件所设计的微流控芯
片前后两端，并给予压力，使得两组夹紧式断裂
装置向内夹紧，这时两组夹紧式断裂装置中的等
腰三角形凸起块将给予上层片基前后两端面所
开设的第一等腰三角形缺口结构压力，在等腰三
角形凸起块的作用力下，第一等腰三角形缺口结
构部位同纵向激光切口结构开裂，从而断裂开保
留相对于上层片基底端面基于紫外激光掩模刻
蚀的微型沟道部位的上层片基区域，使得微通道
破损无法再次使用。

   201910834674.4 (1).pdf